檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and year="98"
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本論文旨在探討碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披覆氮化鎵奈米尖錐及其特性分析。實驗首先以射頻式濺鍍系統沉積純銀薄膜，接著經由熱氧化方式形成雙層遮罩結構，最後使用碘蒸氣輔助聚焦離子束蝕刻製備氧化鎵披…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑，成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…